2019年4月20日，中科合创(北京)科技成果评价中心在太原依据科技部《科学技术评价办法》的有关规定，按照科技成果评价的标准及程序，本着科学、独立、客观、公正的原则，组织专家对由太我校作为牵头单位完成的“高光效GaN基LED外延材料与芯片制造技术”和“高功率InGaAs基红外激光器材料与芯片制造技术”两项成果进行了科技成果评价。上述两项成果是由我实验室许并社教授科研团队与合作单位人员共同完成。

此次评价会的专家组由中国工程院姜德生院士、中国科学院范守善院士、中国工程院吴以成院士、中国科学院半导体研究所赵德刚研究员、北京大学邹德春教授、山西大学肖连团教授和中国电子科技集团公司第三十三研究所乔妙杰高级工程师组成。

专家组审议了成果材料，听取了项目完成单位的工作汇报，经过质询和讨论一致认为，成果解决了单晶薄膜生长质量差、器件电光转化效率低等瓶颈问题，经专家组全面审核，与会专家一致评价，两项技术的产品性能均达国际先进水平，并产生了明显的经济效益和社会效益。

撰稿人：翟光美